肖特基二极管优化推广
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| 解析肖特基二极管的使用事项 weixin 43747182的博客-CSDN博客 blog.csdn.net/weixin 43747182/article/details/85774047 一、对于浪涌电压或浪涌电流比较大的应用电路应该加抑制和吸收电路。 二、应用电路的峰值工作电压应小于肖特基二极管的 反向击穿电压Vrrm。 三、应用电路内的肖特基二极管的实际工作温升应小于肖特基二极管的 结温Tjmax。 四、小于肖特基二极管的正向额定电流IF。 |
| 英飞凌碳化硅技术大解析，到底“Cool”在哪里？ – 知乎 zhuanlan.zhihu.com/p/36277941 从如下结构图上看CoolSiC肖特基二极管的结构为肖特基二极管与PiN结二极管的组合。与其它厂商的SiC肖特基二极管相比，CoolSiC肖特基二极管在N型掺杂区上面多了P型掺杂的窗口，为的是同时结合两种二极管的优点于一身。正常工作时肖特基二极管导通，因为 。 |
| 二极管 百度百科 – baike.baidu.com baike.baidu.com/item/二极管 二极管是用半导体材料 硅、硒、锗等 制成的一种电子器件。它具有单向导电性能， 即给二极管阳极和阴极加上正向电压时，二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。 因此，二极管的导通和截止，则相当于开关的接通与断开。二极管是 早诞生的半导体器件之一，其应用非常 。 |
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| Microchip 推出 一代汽车用700 和 1200V 碳化硅肖特基势垒二 … news.eeworld.com.cn/qcdz/ic514781.html Microchip还利用 一代碳化硅（SiC）裸片，提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）功率模块的广泛产品组合。此外，Microchip推出的dsPIC& 174;数字信号控制器可提供高性能、低功耗和灵活的外设。 |
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| 碳化硅（SiC）功率器件发展现状 – 知乎 zhuanlan.zhihu.com/p/72392457 1、sic功率二极管. sic功率二极管有3种类型：肖特基二极管（sbd），pin二极管和结势垒控制肖特基二极管（jbs）。由于存在肖特基势垒，sbd具有较低的结势垒高度。因此，sbd具有低正向电压的优势。sicsbd的出现将sbd的应用范围从250v提高到1200v。 |
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| 肖特基二极管 在线座谈-中电网官网 – ECCN.com webinar.eccn.com/zttopic/detail-692.html 肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。 显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。 |
| 肖特基二极管PFR10L60CT 有什么特点呢？ 爱问知识人 iask.sina.com.cn/b/c43Jt8HdDN.html 肖特基二极管pfr10l60ct 是针对低正向压降进行优化，以很大限度地提高电源的应用效率。广泛应用于开关电源、变频器、驱动器、笔记本电脑的电源适配器、液晶电视和液晶显示器电源、电动车电瓶充电器以及数字卫星接收机和机顶盒的电源等等。 |
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