开关三极管优化推广
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| 碳化硅（SiC）功率器件发展现状 – 知乎 zhuanlan.zhihu.com/p/72392457 与Si双极型晶体管相比，SiC双极型晶体管具有低20～50倍的开关损耗以及更低的导通压降。SiCBJT主要分为外延发射极和离子注入发射极BJT，典型的电流增益在10-50之间。 关于碳化硅晶闸管，有报道介绍了1平方厘米的晶闸管芯片，阻断电压5kV，在室温下电流100A（电压4.1V），开启和关断时间在几十到几百 。 |
| MOS管驱动电阻器及MOS管栅极尖峰电压的防护-MOS管知识 www.heketai.com/mosfetzs/504.html 因此，必须选择 的栅极电阻器，或通过调节栅极电阻器值来优化mos管开关速度，有时会使用不同的栅极电阻器来开通和关断mos管。 尖峰电压的防护 . 在mos管的栅极和源极之间外接一个齐纳二极管，可以有效防止发生静电放电和栅极尖峰电压。但要注意，齐纳二极管的电容可能有轻微的不良影响 。 |
| 集成电路中的基于晶体三极管的双路控制驱动电路设计方案 – 将睿 www.jrmianban.com/data/20130819104740000103771.html 摘要：结合模拟电路中的控制驱动原理，利用晶体三极管饱和导通和截止作为开关控制信号，从驱动保护、抗干扰等方面进行优化设计，设计了一种输入脉宽可调信号的两路驱动保护电路。开关管驱动电路已经广泛应用于快速开关动作的三极管的各种电子电路中，可提高电路可靠性 |
| 三极管组成的光控开关电路原理图 – Hqew.com tech.hqew.com/circuit 1644994 光控开关在自动控制装置中应用十分广泛，本文介绍几种简单的光控开关电路，它们分别是亮通开关、暗通开关、光控延迟开关、双敏感器光控开关和单敏感器光控开关，希望读者能举一反三将其扩充推广。 图1是一个简单的亮通开关。 |
| 三极管开关电路的常用改良措施和应用分析 – 模拟技术 – 电子发烧 … www.elecfans.com/analog/202009171299936.html 三极管开关电路的常用改良措施和应用分析-三极管开关电路作为一种被广泛应用在开关电路模式，其本身具有设计简单、工作稳定等特性。然而，在实际运用中，工程师也需要依据环境要求，对三极管开关电路进行相应的改良，使其更加适合设计条件的需要。在 的文章中，我们将会为大家分享 。 |
| 二极管 三极管 集成电路 继电器– 西安骊山电子 xingyin03.cn.china.cn 西安骊山电子（ xingyin03.cn.china.cn）主营产品包括二极管、三极管、集成电路、继电器等西安骊山电子负责人邢女士西安 。 |
| 第三代半导体材料氮化镓 GaN 技术与优势详解 mp.ofweek.com/ee/a445653620686 第三代 半导体材料——氮化镓 gan ，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，gan在 电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于 功率因数校正 pfc 、软开关 dc-dc等电源系统设计，以及电源适配器、光伏 逆变器或 太阳能逆变器、服务器及通信电源等 。 |
| 开关电源损耗分析 以Buck为例 隔壁old余的博客-CSDN博客 blog.csdn.net/huigeyu/article/details/103057170 区别： 1.mos管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。 2.mos管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100k的电阻，只要电压够，mos管还是能够导通。 3.mos管的温度特性要比三极管好。 |
| 三电平变流器开关频率优化设计方法研究 图文 百度文库 wenku.baidu.com/view/85f5a4aecaaedd3382c4d33a.html 由于导 通损耗不 随开关频 率变化 5 ， 不影 响有 关优化设 计 ， 故在此 不 做详细推导 ， 主要分析开关损耗受开关频率 的影响情况。 开关损耗 发生在 变流器换 流过程 中 ， 由I G B T开通 、 关 断 损耗以及二极管反向恢 复损耗构成。利用 N P C三 电平拓扑 的 ： P c ’ ＋ 。 ＋ ’ （ 1 7 ） 令式 。 |
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| MOS管驱动电阻器及MOS管栅极尖峰电压的防护分析-KIA MOS管 www.kiaic.com/article/detail/2128.html 本文主要讲mos管驱动电阻器及mos管栅极尖峰电压的防护分析。与常规双极晶体管不同，mos管是电压控制型器件，一般用于小电压控制大电流的情况，包括开关电源、马达控制、继电器控制、led照明等。应用中，mos管相当于一个开关，漏极和源极之间还有一个寄生二极管，也称作体二极管。 |
